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GB/T2423-電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗國家標準匯編

更新時(shí)間:2015-09-18      點(diǎn)擊次數:3447

一、GB/T2423 有以下51個(gè)標準組成:

  1 GB/T 2423.1-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗A: 低溫

  2 GB/T 2423.2-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗B: 高溫
  
  3 GB/T 2423.3-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Ca:恒定濕熱試驗方法

  4 GB/T 2423.4-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Db: 交變濕熱試驗方法

  5 GB/T 2423.5-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分:試驗方法 試驗Ea和導則: 沖擊

  6 GB/T 2423.6-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Eb和導則: 碰撞

  7 GB/T 2423.7-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Ec和導則: 傾跌與翻倒 (主要用于設備型樣品)

  8 GB/T 2423.8-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Ed: 自由跌落

  9 GB/T 2423.9-2001 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Cb: 設備用恒定濕熱

  10 GB/T 2423.10-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Fc和導則: 振動(dòng)(正弦)

  11 GB/T 2423.11-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fd: 寬頻帶隨機振動(dòng)--一般要求

  12 GB/T 2423.12-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fda: 寬頻帶隨機振動(dòng)--高再現性

  13 GB/T 2423.13-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fdb: 寬頻帶隨機振動(dòng) 中再現性

  14 GB/T 2423.14-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fdc: 寬頻帶隨機振動(dòng) 低再現性

  15 GB/T 2423.15-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Ga和導則: 穩態(tài)加速度

  16 GB/T 2423.16-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗J和導則: 長(cháng)霉

  17 GB/T 2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Ka: 鹽霧試驗方法

  18 GB/T 2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗--試驗Kb:鹽霧, 交變(氯化鈉溶液)

  19 GB/T 2423.19-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Kc: 接觸點(diǎn)和連接件的二氧化硫試驗方法

  20 GB/T 2423.20-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Kd: 接觸點(diǎn)和連接件的硫化氫試驗方法

  21 GB/T 2423.21-1991 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗 M: 低氣壓試驗方法

  22 GB/T 2423.22-2002 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗N: 溫度變化

  23 GB/T 2423.23-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 試驗Q:密封

  24 GB/T 2423.24-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Sa: 模擬地面上的太陽(yáng)輻射

  25 GB/T 2423.25-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Z/AM: 低溫/低氣壓綜合試驗

  26 GB/T 2423.26-1992 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Z/BM: 高溫/低氣壓綜合試驗

  27 GB/T 2423.27-1981 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Z/AMD:低溫/ 低氣壓 /濕熱連續綜合試驗方法

  28 GB/T 2423.28-1982 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗T:錫焊試驗方法

  29 GB/T 2423.29-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗U:引出端及整體安裝件強度

  30 GB/T 2423.30-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗XA和導則:在清洗劑中浸漬

  31 GB/T 2423.31-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 傾斜和搖擺試驗方法

  32 GB/T 2423.32-1985 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 潤濕稱(chēng)量法可焊性試驗方法

  33 GB/T 2423.33-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Kca:高濃度二氧化硫試驗方法

  34 GB/T 2423.34-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Z/AD: 溫度/ 濕度組合循環(huán)試驗方法

  35 GB/T 2423.35-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Z/AFc:散熱和非散熱試驗樣品的低溫/ 振動(dòng)(正弦)綜合試驗方法

  36 GB/T 2423.36-1986 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Z/BFc:散熱和非散熱樣品的高溫/ 振動(dòng)(正弦)綜合試驗方法

  37 GB/T 2423.37-1989 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗 L: 砂塵試驗方法

  38 GB/T 2423.38-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗 R: 水試驗方法

  39 GB/T 2423.39-1990 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 試驗Ee: 彈跳試驗方法

  40 GB/T 2423.40-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Cx:未飽和高壓蒸汽恒定濕熱

  41 GB/T 2423.41-1994 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規程 風(fēng)壓試驗方法

  42 GB/T 2423.42-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 低溫/低氣壓/振動(dòng)(正弦)綜合試驗方法

  43 GB/T 2423.43-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 元件、設備和其他產(chǎn)品在沖擊(Ea) 、碰撞(Eb) 、振動(dòng)(Fc和Fb)和穩態(tài)加速度(Ca)等動(dòng)力學(xué)試驗中的安裝要求和導則

  44 GB/T 2423.44-1995 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗方法 試驗Eg: 撞擊 彈簧錘

  45 GB/T 2423.45-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗Z/ABDM:氣候順序

  46 GB/T 2423.46-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分:試驗方法 試驗Ef:撞擊 擺錘

  47 GB/T 2423.47-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fg: 聲振

  48 GB/T 2423.48-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Ff: 振動(dòng)--時(shí)間歷程法

  49 GB/T 2423.49-1997 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Fe: 振動(dòng)--正弦拍頻法

  50 GB/T 2423.50-1999 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗
 
  51 GB/T 2423.51-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第2部分: 試驗方法 試驗Ke: 流動(dòng)混合氣體腐蝕試驗 
 

上海覽浩儀器設備有限公司
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